|
|
|
|
1Àå | ¹ÝµµÃ¼ ³»ÀÇ ÀüÀÚ¿Í Á¤°ø
01_ ½Ç¸®ÄÜ °áÁ¤ ±¸Á¶
02_ ÀüÀÚ¿Í Á¤°øÀÇ °áÇÕ ¸ðµ¨
03_ ¿¡³ÊÁö ¹êµå ¸ðµ¨
04_ ¹ÝµµÃ¼, Àý¿¬Ã¼, µµÃ¼
05_ ÀüÀÚ ¹× Á¤°ø
06_ »óÅ ¹Ðµµ
07_ ¿Àû ÆòÇü»óÅÂ¿Í Æ丣¹Ì ÇÔ¼ö
08_ ÀüÀÚ¿Í Á¤°øÀÇ ³óµµ
09_ n°ú pÀÇ ÀϹÝÀû ÀÌ·Ð
10_ ±Ø°í¿Â°ú ±ØÀú¿Â¿¡¼ÀÇ Ä³¸®¾î ³óµµ
11_ Àå ¿ä¾à
¿¬½À¹®Á¦
ÂüÁ¶¹®Çå
2Àå | ÀüÀÚ ¹× Á¤°øÀÇ ¿îµ¿°ú Àç°áÇÕ
01_ ¿ ¿îµ¿
02_ µå¸®ÇÁÆ®
03_ È®»ê Àü·ù
04_ ¿¡³ÊÁö ´ÙÀ̾î±×·¥°ú V, ? °£ÀÇ °ü°è
05_ D¿Í ¥ì °£ÀÇ ¾ÆÀν´Å¸ÀÎ °ü°è½Ä
06_ ÀüÀÚ-Á¤°ø Àç°áÇÕ
07_ ¿ »ý¼º
08_ À¯»ç ÆòÇü»óÅÂ¿Í ÀÇ»ç Æ丣¹Ì ÁØÀ§
09_ Àå ¿ä¾à
¿¬½À¹®Á¦
ÂüÁ¶¹®Çå
3Àå | ¼ÒÀÚ Á¦Á¶ ±â¼ú
01_ ¼ÒÀÚ Á¦Á¶¿¡ ´ëÇÑ ¼·Ð
02_ ½Ç¸®ÄÜÀÇ »êÈ
03_ ¸®¼Ò±×·¡ÇÇ
04_ ÆÐÅÏ Àü»ç¦¡¿¡Äª
05_ µµÇÎ
06_ µµÆÝÆ® È®»ê
07_ ¹Ú¸· ÁõÂø
08_ »óÈ£ ¿¬°á¦¡ÈÄ¹Ì °øÁ¤
09_ Å×½ºÆÃ, Á¶¸³, ±×¸®°í °ËÁ¤
10_ Àå ¿ä¾à¦¡¼ÒÀÚ Á¦Á¶ ¿¹
¿¬½À¹®Á¦
ÂüÁ¶¹®Çå
4Àå | PN Á¢ÇÕ°ú ±Ý¼Ó-¹ÝµµÃ¼ Á¢ÇÕ
#Part 1: PN Á¢ÇÕ
01_ PN Á¢ÇÕ ÀÌ·ÐÀÇ ±âÃÊÀû ¿ä¼Ò
02_ °øÇÌÃþ ¸ðµ¨
03_ ¿ª ¹ÙÀ̾µÈ PN Á¢ÇÕ
04_ Ä¿ÆнÃÅϽº-Àü¾Ð Ư¼º
05_ Á¢ÇÕ Ç׺¹
06_ Á¤ ¹ÙÀ̾ »óÅ¿¡¼ ¿î¹ÝÀÚ ÁÖÀÔ¦¡À¯»çÆòÇü °æ°è Á¶°Ç
07_ Àü·ù ¿¬¼Ó ¹æÁ¤½Ä
08_ Á¤ ¹ÙÀ̾µÈ PN Á¢ÇÕ¿¡¼ °úÀ× ¿î¹ÝÀÚ
09_ PN ´ÙÀÌ¿Àµå IV Ư¼º
10_ ÀüÇÏ ÃàÀû
11_ ´ÙÀÌ¿ÀµåÀÇ ¼Ò½ÅÈ£ ¸ðµ¨
#Part 2: ±¤Àü ¼ÒÀÚ¿¡ÀÇ ÀÀ¿ë
12_ žçÀüÁö
13_ ¹ß±¤ ´ÙÀÌ¿Àµå¿Í °íü Á¶¸í
14_ ´ÙÀÌ¿Àµå ·¹ÀÌÀú
15_ ±¤ ´ÙÀÌ¿Àµå
#Part 3: ±Ý¼Ó-¹ÝµµÃ¼ Á¢ÇÕ
16_ ¼îƮŰ À庮
17_ ¿ÀüÀÚ ¹æÃâ ÀÌ·Ð
18_ ¼îƮŰ ´ÙÀÌ¿Àµå
19_ ¼îƮŰ ´ÙÀÌ¿ÀµåÀÇ ÀÀ¿ë
20_ ¾çÀÚ ¿ªÇÐÀû Åͳθµ
21_ ¿È¼º Á¢ÃË
22_ Àå ¿ä¾à
¿¬½À¹®Á¦
ÂüÁ¶¹®Çå
5Àå | MOS Ä¿ÆнÃÅÍ
01_ Æòź ¹êµå Á¶°Ç°ú Æòź ¹êµå Àü¾Ð
02_ Ç¥¸é ÃàÀû
03_ Ç¥¸é °øÇÌ
04_ ¹®ÅÎ Á¶°Ç ¹× ¹®ÅÎ Àü¾Ð
05_ ¹®ÅÎ Á¶°Ç ÀÌÈÄÀÇ °¹ÝÀü
06_ MOS Ä¿ÆнÃÅÍÀÇ C-V Ư¼º
07_ »êȸ· ÀüÇÏ
08_ Æú¸®½Ç¸®ÄÜ °ÔÀÌÆ® °øÇÌ
09_ ¹ÝÀü ¹× ÃàÀû ÀüÇÏÃþ µÎ²²¿Í ¾çÀÚ¿ªÇÐÀû È¿°ú
10_ CCD ¹× CMOS È»ó±â
11_ Àå ¿ä¾à
¿¬½À¹®Á¦
ÂüÁ¶¹®Çå
6Àå | MOS Æ®·£Áö½ºÅÍ
01_ MOSFETÀÇ ¼Ò°³
02_ »óº¸Çü MOS(CMOS) ±â¼ú
03_ Ç¥¸é À̵¿µµ¿Í °íÀ̵¿µµ FET
04_ MOSFET Vt, ¹Ùµð È¿°ú, °¡Æĸ¥ ¿ª¹æÇâ µµÇÎ
05_ MOSFETÀÇ Qinv
06_ ±âº»ÀûÀÎ MOSFET IV ¸ðµ¨
07_ CMOS ÀιöÅͦ¡È¸·ÎÀÇ ¿¹
08_ ¼Óµµ Æ÷È
09_ ¼Óµµ Æ÷È Çö»óÀÌ ÀÖÀ» °æ¿ìÀÇ MOSFET IV ¸ðµ¨
10_ ±â»ý ¼Ò¿À½º-µå·¹ÀÎ ÀúÇ×
11_ Á÷·Ä ÀúÇ×°ú À¯È¿ ä³Î ±æÀÌÀÇ ÃßÃâ
12_ ¼Óµµ ¿À¹ö½¸°ú ¼Ò¿À½º ¼Óµµ ÇÑ°è
13_ Ãâ·Â ÄÁ´öÅϽº
14_ °íÁÖÆÄ ¼º´É
15_ MOSFET ÀâÀ½
16_ SRAM, DRAM, ºñÈֹ߼º (Ç÷¡½Ã) ¸Þ¸ð¸® ¼ÒÀÚµé
17_ Àå ¿ä¾à
¿¬½À¹®Á¦
ÂüÁ¶¹®Çå
7Àå | ÁýÀûȸ·Î¿¡¼ÀÇ MOSFET-Ãà¼ÒÈ, ´©¼³Àü·ù ¹× ´Ù¸¥ ÅäÇÈ
01_ ¼ÒÀÚ Ãà¼ÒȦ¡°¡°Ý, ¼Óµµ ¹× Àü·Â ¼Ò¸ð
02_ ¹®ÅÎÀü¾Ð ÀÌÇÏ Àü·ù¦¡"OFF"´Â ¿ÏÀüÇÑ "OFF"°¡ ¾Æ´Ï´Ù
03_ Vt °¨¼Ò(·Ñ ¿ÀÇÁ)¦¡´Üä³Î MOSFETÀÌ ½ÉÇÑ ´©¼³Àü·ù¸¦ °®´Â´Ù
04_ °ÔÀÌÆ® Àý¿¬¸·ÀÇ Àü±âÀû µÎ²² °¨¼Ò ¹× Åͳθµ ´©¼³Àü·ù
05_ WdepÀ» ÁÙÀÌ´Â ¹æ¹ý
06_ ¾èÀº Á¢ÇÕ°ú ±Ý¼Ó ¼Ò¿À½º/µå·¹ÀÎ MOSFET
07_ Ion°ú IoffÀÇ ÀýÃæ ¹× Á¦Á¶¸¦ À§ÇÑ ¼³°è
08_ ±Øµµ·Î ¾ãÀº ¹Ùµð SOI ¹× ¸ÖƼ°ÔÀÌÆ® MOSFET
09_ Ãâ·Â ÄÁ´öÅϽº
10_ ¼ÒÀÚ ¹× °øÁ¤ ½Ã¹Ä·¹À̼Ç
11_ ȸ·Î ½Ã¹Ä·¹À̼ÇÀ» À§ÇÑ MOSFET ÄÞÆÑÆ® ¸ðµ¨
12_ Àå ¿ä¾à
¿¬½À¹®Á¦
ÂüÁ¶¹®Çå
8Àå | ¹ÙÀÌÆú¶ó Æ®·£Áö½ºÅÍ
01_ BJT ÀÔ¹®
02_ Ä÷ºÅÍ Àü·ù
03_ º£À̽º Àü·ù
04_ Àü·ù À̵æ
05_ Ä÷ºÅÍ Àü¾Ð¿¡ ÀÇÇÑ º£À̽º Æø º¯Á¶
06_ ¿¡¹ö½º-¸ô ¸ðµ¨
07_ õÀÌ ½Ã°£°ú ÀüÇÏ ÀúÀå
08_ ¼Ò½ÅÈ£ ¸ðµ¨
09_ ÄÆ¿ÀÇÁ ÁÖÆļö
10_ ÀüÇÏ Á¦¾î ¸ðµ¨
11_ ´ë½ÅÈ£ ȸ·Î ½Ã¹Ä·¹À̼ÇÀ» À§ÇÑ ¸ðµ¨
12_ Àå ¿ä¾à
¿¬½À¹®Á¦
ÂüÁ¶¹®Çå
ºÎ·Ï ¥° »óÅ ¹ÐµµÀÇ À¯µµ
ºÎ·Ï ¥± Æ丣¹Ì-µð¶ô ºÐÆ÷ÇÔ¼öÀÇ À¯µµ
ºÎ·Ï ¥² ¼Ò¼ö ij¸®¾î °¡Á¤ÀÇ ÀÏ°ü¼º
ã¾Æº¸±â
|
Ãâó : ¾Ë¶óµò |
|
Àú:þ¹Ö ÈÄ ÀúÀڴ Ķ¸®Æ÷´Ï¾Æ´ëÇб³(University of California) ¹öŬ¸®(Berkeley) Ä·ÆÛ½º¿¡¼ ¸¶ÀÌÅ©·ÎÀüÀÚ°øÇÐ TSMC ¿ì¼ö ±³¼ö(TSMC Distinguished Professor Chair of Microelectronics)ÀÇ ÁöÀ§¸¦ °®°í ÀÖ´Ù. ±×´Â ¹Ì±¹±â¼úÀÚÇùȸ(U.S. Academy of Engineering)ÀÇ È¸¿øÀÌ°í Áß±¹°úÇÐÀÚÇùȸ(Chinese Academy of Sciences)ÀÇ Àç¿Ü ȸ¿øÀÌ´Ù. 2001³âºÎÅÍ 2004³â±îÁö, ¼¼°è¿¡¼ °¡Àå Å« IC ÆÄ¿îµå¸® ȸ»çÀÎ TSMCÀÇ ÃÖ°í±â¼ú°æ¿µÀÚ(Chief Technology Officer)·Î ÀçÁ÷ÇÏ¿´´Ù.
¹Ì±¹ Àü±âÀüÀÚ±â¼úÀÚÇùȸ(Institute of Electrical and Electronics Engineers, IEEE)ÀÇ È¸¿øÀÎ ±×´Â 1977³â¿¡´Â Æ®·£Áö½ºÅÍ ½Å·Ú¼º¿¡ ´ëÇÑ ¿¬±¸·Î Àè ¸ðÅæ »ó(Jack Morton Award)À», 2002³â¿¡´Â ȸ·Î ½Ã¹Ä·¹À̼ÇÀ» À§ÇÑ ¼¼°èÀû Ç¥ÁØ Æ®·£Áö½ºÅÍ ¸ðµ¨À» ÃÖÃÊ·Î °øµ¿ °³¹ßÇÑ °ø·Î·Î °íüȸ·Î »ó(Solid State Circuits Award)À», ±×¸®°í 2009³â¿¡´Â ¼ÒÀÚ ¹°¸®¿Í ½ºÄÉÀϸµ¿¡ ´ëÇØ Å¹¿ùÇÑ ±â¿©¸¦ ÇÑ °ø·Î·Î ÁØÀÌÄ¡ ´Ï½ÃÀÚ¿Í ¸Þ´Þ(Jun-ichi Nishizawa Medal)ÀÇ ¿µ±¤À» ¾È¾Ò´Ù.
±×´Â 60¸íÀÌ ³Ñ´Â ¹Ú»çÇÐÀ§ ÇлýÀÇ ³í¹®À» ÁöµµÇÏ¿´°í, 800ÆíÀÇ ±â¼ú ³í¹®À» °ÔÀçÇÏ¿´À¸¸ç, ±×¸®°í 100°Ç ÀÌ»óÀÇ U.S. ƯÇ㸦 ȹµæÇÏ¿´´Ù. ±×ÀÇ ´Ù¸¥ ¸í¿¹·Î¿î ǥâÀ¸·Î´Â ½Ã±×¸¶ Å©½Ã ¸ð´Ï ÆÛ½ºÆ® »ó(Sigma Xi Moni Ferst Award), ¿¬±¸°³¹ß 100ÀÎ »ó(R&D 100 Award), ±×¸®°í UC ¹öŬ¸®(UC Berkeley)ÀÇ ÃÖ°í ±³¼ö »óÀÎ ¹öŬ¸® ¿ì¼ö ±³¼ö »ó(Berkeley Distinguished Teaching Award)ÀÌ ÀÖ´Ù.
¿ª:±Ç±â¿µ °øÁÖ´ëÇб³ Àü±âÀüÀÚÁ¦¾î°øÇкΠ±³¼ö·Î, Çѱ¹°úÇбâ¼ú¿ø(KAIST)¿¡¼ Àü±â ¹× ÀüÀÚ°øÇÐ ¹Ú»ç ÇÐÀ§¸¦ ÃëµæÇÏ¿´´Ù. »ï¼º¹ÝµµÃ¼ ¼±ÀÓ¿¬±¸¿øÀ¸·Î ±Ù¹«ÇÏ¿´À¸¸ç, ¹Ì±¹ Åػ罺 ÁÖ SMU¿¡¼ °´¿ø±³¼ö¸¦ ¿ªÀÓÇÏ¿´´Ù. ¿ª¼·Î´Â ¡ºÀü±âÀüÀÚ°øÇÐ °³·Ð_(ÇѺû¹Ìµð¾î, 2008) ¡», ¡ºÇö´ë ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ °øÇÐ_(ÇѺû¾ÆÄ«µ¥¹Ì, 2013)¡», ¡ºÀü±âÀüÀÚ°øÇÐ °³·Ð, °³Á¤ 5ÆÇ_(ÇѺû¾ÆÄ«µ¥¹Ì, 2013) ¡»ÀÌ ÀÖ´Ù.
¿ª:½ÅÇüö ¼¿ï´ëÇб³ Àü±â°øÇкΠ±³¼ö·Î, ¼¿ï´ëÇб³ ÀüÀÚ°øÇаú¿¡¼ ÇÐ»ç ¹× ¼®»ç ÇÐÀ§¸¦ ÃëµæÇÏ°í ¹Ì±¹ Ķ¸®Æ÷´Ï¾Æ ´ëÇб³ ¹öŬ¸® Ä·ÆÛ½º¿¡¼ ¹Ú»ç ÇÐÀ§¸¦ ÃëµæÇÏ¿´´Ù. ¸ðÅä·Ñ¶ó ¹× Ä÷ÄÄ¿¡¼ ¿¬±¸¿øÀ¸·Î ±Ù¹«ÇÏ¿´À¸¸ç, KAIST¿¡¼ ±³¼ö¸¦ ¿ªÀÓÇÏ¿´´Ù. Àú¼(°øÀú)·Î´Â ¡ºNANOCAD¿Í ÇÔ²² ÇÏ´Â ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ¡»(´ë¿µ»ç)°¡ ÀÖ´Ù.
¿ª:ÀÌÁ¾È£ ¼¿ï´ëÇб³ Àü±â°øÇкΠ±³¼ö·Î, ¼¿ï´ëÇб³ ÀüÀÚ°øÇаú¿¡¼ ¹Ú»ç ÇÐÀ§¸¦ ÃëµæÇÏ¿´´Ù. ¹Ì±¹ MIT (Massachusettes Institute of Technology)¿¡¼ ¹Ú»çÈÄ °úÁ¤À» º¸³Â°í, ¿ø±¤´ë¿Í °æºÏ´ë¿¡¼ ±³¼ö·Î ÀçÁ÷ÇÏ¿´´Ù. Àú¼(°øÀú)·Î´Â¡ºMOSFETs: Performance¡»(Scientific)°¡ ÀÖ´Ù.
|
Ãâó : ¿¹½º24 |
|
ÃֽŠÅäÇÈÀÌ °¡µæ! Èï¹Ì·Î¿î ÁÖÁ¦¸¦ Áß½ÉÀ¸·Î °£°áÇÏ°Ô ¹è¿î´Ù
[´©±¸¸¦ À§ÇÑ Ã¥Àΰ¡?]
¸¶ÀÌÅ©·ÎÀüÀÚ °øÇа迡¼ ¸í¼ºÀÌ ³ôÀº þ¹Ö ÈÄ(Chenming Calvin Hu)ÀÇ ÃֽŰ£À¸·Î, ¹æ´ëÇÑ ¹ÝµµÃ¼ °øÇÐ ³»¿ëÀ» °£°áÇÑ ¾îÁ¶·Î Áý¾àÀûÀÎ ±¸¼ºÀ» ÅëÇØ ¼Ò°³ÇÑ´Ù. žç ÀüÁö, LED, Çö´ë MOSFET°ú °°Àº ÃֽŠÅäÇÈ°ú ÀÀ¿ë ±â¼úÀ» ´Ù·ç°í, ±¤¹üÀ§ÇÑ ³»¿ëÀº ¼ö½Ä°ú ±×¸²À» ÅëÇØ ½±°Ô ÀÌÇØÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï ±¸¼ºÇÏ¿´´Ù. ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß¿¡ Á¾»çÇÏ´Â ¿£Áö´Ï¾î³ª ¹ÝµµÃ¼¸¦ °øºÎÇÏ´Â ÇлýÀ¸·Î¼ Æø³ÐÀº Áö½ÄÀ» ¿øÇÑ´Ù¸é °ç¿¡ µÎ°í Å« µµ¿òÀ» ¹ÞÀ» ¼ö ÀÖ´Â µµ¼°¡ µÉ °ÍÀÌ´Ù.
[¹«¾ùÀ» ´Ù·ç´Â°¡?]
o 1Àå : ¹ÝµµÃ¼ ³»ÀÇ ÀüÀÚ¿Í Á¤°ø
o 2Àå : ÀüÀÚ ¹× Á¤°øÀÇ ¿îµ¿°ú Àç°áÇÕ
o 3Àå : ¼ÒÀÚ Á¦Á¶ ±â¼ú
o 4Àå : PN Á¢ÇÕ°ú ±Ý¼Ó-¹ÝµµÃ¼ Á¢ÇÕ
o 5Àå : MOS Ä¿ÆнÃÅÍ
o 6Àå : MOS Æ®·£Áö½ºÅÍ
o 7Àå : ÁýÀûȸ·Î¿¡¼ÀÇ MOSFET
o 8Àå : ¹ÙÀÌÆú¶ó Æ®·£Áö½ºÅÍ
o ºÎ·Ï I : »óÅ ¹ÐµµÀÇ À¯µµ
o ºÎ·Ï II : Æ丣¹Ì-µð¶ô ºÐÆ÷ ÇÔ¼öÀÇ À¯µµ
o ºÎ·Ï III : ¼Ò¼ö ij¸®¾î °¡Á¤ÀÇ ÀÏ°ü¼º
ºÎ/À庰 ³»¿ë ¿ä¾à
1~2Àå| ¹ÝµµÃ¼¿¡¼ÀÇ ÀüÀÚ¿Í Á¤°ø
¹ÝµµÃ¼¸¦ ÀÌÇØÇÏ´Â µ¥ ÇÊ¿äÇÑ ±âº» °³³ä°ú ¿ë¾î¸¦ »ìÆ캻´Ù. ÀüÀÚ¿Í Á¤°øÀÇ ³óµµ ¹× ¿îµ¿°ú ÀüÀÚ-Á¤°ø ½ÖÀÇ »ý¼º°ú Àç°áÇÕÀ» ÅëÇØ ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Æ¯¼ºÀ» ¼³¸íÇÑ´Ù.
3~4Àå | ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚÀÇ ÀÀ¿ë
¹ÝµµÃ¼·Î ¼ÒÀÚ¸¦ ¸¸µå´Â ¹æ¹ý°ú Á¦Á¶ ±â¼ú¿¡ ´ëÇØ ÇнÀÇÏ°í, µÎ °³ÀÇ ¼·Î ´Ù¸¥ ¹°ÁúÀ» ÇÔ²² °áÇÕÇÏ¿© Çü¼ºÇÑ ¿©·¯ °¡Áö ¼ÒÀÚ¸¦ ¾Ë¾Æº»´Ù.
5~6Àå | MOS Ä¿ÆнÃÅÍ ¹× Æ®·£Áö½ºÅÍ
MOS Ä¿ÆнÃÅÍÀÇ C-V Ư¼º, ¹®ÅÎ Á¶°Ç µîÀ» »ìÆ캸¸ç MOS ±¸Á¶¿¡ ´ëÇØ ÀÌÇØÇÏ°í, Çö´ë MOSFET ¼ÒÀڵ鿡 ´ëÇØ ÇнÀÇÑ´Ù.
7~8Àå | IC¿¡¼ÀÇ MOSFET/¹ÙÀÌÆú¶ó Æ®·£Áö½ºÅÍ
MOSFETÀÇ Ãà¼ÒÈ¿¡ ´ëÇØ ÁßÁ¡ÀûÀ¸·Î ´Ù·ç°í, ÇâÈÄ Àü¸ÁÀ» »ìÆ캻´Ù. ¸¶Áö¸·À¸·Î, BJTÀÇ µ¿ÀÛ°ú ¿©·¯ °¡Áö ¸ðµ¨, ÀÀ¿ë ºÐ¾ß¿¡ ´ëÇØ ¾Ë¾Æº»´Ù.
|
Ãâó : ¾Ë¶óµò |
|
|
|
|